11月26日消息，三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重大技術突破，成功將光刻膠（PR）的使用量減半，這一創新預計將顯著提升生產效率并大幅降低成本。
據韓媒The Elec報道，三星電子通過精確控制涂布機的轉速（rpm）和優化PR涂層后的蝕刻工藝，將每層涂層所需的光刻膠用量從7-8cc降低至4-4.5cc。此外，三星采用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，使得一次性形成多個層成為可能，進一步提高了工藝效率。
然而，更厚的光刻膠也帶來了生產中的挑戰。由于光刻膠的高粘度特性，可能會導致涂層均勻性問題。為了解決這一問題，三星電子與長期合作伙伴東進半導體化學公司自2013年起就密切合作，共同研發高性能光刻膠。東進半導體化學公司一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND提供了關鍵材料。
消息稱，從第9代3D NAND開始，三星將全面應用這項新技術。這一創新舉措預計將為三星節省每年數十億韓元的成本。但這也意味著東進半導體化學公司將面臨來自三星的訂單減少。東進半導體化學公司目前每年從光刻膠業務中獲得約2500億韓元收入，其中60%來自三星。